2010 · 신개념의 플라즈마 폐기물 소각로 개발로 깨끗한 환경 조성에 기여한다는 방침인데요. 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치(10)는, 진공용기(11)와, 진공용기(11)의 내부공간(111)에 돌출하도록 설치된 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(12)와, 안테나 지지부(12)에 장착된 . 본 발명의 장치는 샤워 헤드들이 복수 개가 분리되어 제공된다. 지지 구조체가 처리 용기 내에서 피처리체를 유지한다. 또한 Parylene Coating 과 … 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 반응 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버의 측벽면에 마련되어 상기 측벽면을 둘레를 따라 회전하는 적어도 하나의 안테나부와, 상기 안테나부를 회전시키는 회전 부재 및 회전하는 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 포함하는 . 즉 본 발명은, 로드락 챔버, 반송 챔버 및 공정 챔버로 이루어지고, 각 챔버 사이에는 각 챔버를 단속하는 게이트 밸브가 구비되는 플라즈마 처리장치에 . 유전체 부재는 탑재대의 적어도 탑재면을 착탈 가능하게 덮을 수 있도록 설치된다. 악취물질 중 NH 3 (암모니아), H 2 S ( 황화수소 ), C 6 H 6 ( 벤젠 )은 석유화학공장, 공공하수처리시설 및 분뇨처리시설, 가축분뇨 처리시설, 폐기물 처리시설과 음식물류 … 본 발명은, 동시에 복수의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 배치대 상의 복수의 기판에 대하여 균일한 플라즈마 분포를 실현하여, 처리의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 의료용 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 발생을 위한 전극 모듈이 배치된 방전 모듈(11); 방전 모듈(11)의 내부로 방전 기체를 주입하는 유도 튜브(12); 및 방전 모듈(11)의 내부로 처리 소재를 주입하는 방전 튜브(13)를 포함하고, 전극 모듈은 속이 빈 유전체 소재로 . 평판형의 코일로 된 안테나가 웨이퍼 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 이용한 소정의 처리가 이루어지는 반응챔버와, 상기 플라즈마를 이용한 소정의 처리의 대상물이 장착되는 스테이지와, 상기 플라즈마를 유도하는 파워를 인가하는 전원 공급부와 조합되고 상기 반응챔버의 중앙부로부터 가장자리쪽으로 . H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufa 본 발명은 파티클의 발생을 방지하여 안정된 처리를 가능하게 하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것으로, 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30)를 가지는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 발생 휴지 시에 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30) 부분의 처리실에 면한 부분의 온도를 소정 온도 .
필터부는, 배선의 단부에 접속되고, 배선을 전파하는 노이즈를 감쇠한다. 반도체 웨이퍼가 삽입되는 챔버와, 챔버내에 처리가스를 도입하는 처리가스 도입관과, 절연체를 통하여 상기 챔버의 바깥쪽 상기 피처리체에 대향하는 부분에 설치되고, 고주파전력이 공급되므로써 피처리체 근처에 유도전계를 형성하기 위한 안테나와, 적어도 그 일부가 안테나에 겹치도록 배치된 . 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마 방전 전극들 사이에 로딩된 기판의 처리 면에 따라 전극들 사이에 생성된 플라즈마의 방향성을 제어하는 것을 특징으로 가진다. 里面包含带电的离子和不带电的原子、分子团。. 2023 · 한수원은 1996년 1세대 150kW급 플라즈마 토치 용융기술 개발을 시작으로 2세대 500kW급 기술을 개발한 바 있다. [과제] 절연물이 포함되는 워크를 처리하는 경우라도, 플라즈마 방전을 안정화시킨다.
… 플라즈마 처리 장치는, 지지부와, 필터부와, 승강부를 갖는다. 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 본 발명은 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는, 다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극; 상기 유전체 . 真空等离子处理是要把材料放入真空腔内进行处理，选择真空腔尺寸的参考因素是材料的大小和批处理的数量， 一般科研型的真空等离子处理仪的腔体 … 플라즈마 에칭 장치(2)는 처리 용기(4)내에 가스 배출 구멍(36)으로부터 불활성 가스와 반응성 가스를 공급함과 동시에, 이들 가스를 고주파 방전을 통해 플라즈마 상태로 하고, 이 플라즈마를 이용해서 서셉터(8)상의 반도체 웨이퍼 w에 대해 에칭을 행한다. 하부 전극은, 처리 공간의 아래쪽에 마련되어 있다. 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서 .
Gta4 리마스터 플라즈마 처리 장치(1)는, 마이크로파를 전송하는 도파관(5)과, 마이크로파 원으로부터 도파관(5)을 통해 마이크로파를 방사하는 안테나(4)와, 안테나(4)로부터 방사되는 마이크로파를 전파하여 플라즈마 처리 용기(1)의 내부에 … 본 발명은 온도 조절 설비를 간소화하면서, 처리 용기 내에서의 부착물이나 아킹의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기밀한 처리실과, 상기 처리실내에 승강이 자유롭게 설치되며 피처리체가 탑재되는 탑재부를 갖는 하부 전극과, 하부 전극에 고주파 전력을 공급하는 전력 공급계와, 하부 전극을 승강 구동하는 승강 기구와, 승강 기구를 근접 거리에서 실질적으로 둘러싸며 . 2023 · 材料的大小. 본 발명은 플라즈마 밀도의 좌우 대칭성을 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 상기 기판 지지수단과 마주보도록 상기 공정챔버에 설치되어 rf … 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 제1전극 및 제2전극 사이의 기판 지지대 상에 기판을 안착시키는 단계; 상기 인입된 기판과 상기 제1전극과의 사이 . 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치는, 챔버, 마이크로파 발생기, 안테나, 및 동축 도파로를 구비한다. 본 발명은 플라즈마를 발생시켜 피처리물에 대하여 소정의 처리를 하는 장치에 있어서, 보다 상세하게는 스퍼터 건을 중심으로 360°의 범위에서 전방위적으로 스퍼터링할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
배플판(28)을 흐르는 리턴 전류는 챔버(2)의 천정(2b)을 . 처리실(5)을 형성하는 본체 용기(2)의 측벽(2a)의 내측에 열매체 유로(43)를 마련한 보호 플레이트(41)를 배치하는 동시에, 측벽(2a)의 내면과 보호 플레이트(41 . 선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 . 플라즈마 처리장치는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 상기 서셉터 상부에 구비되어 유도결합 방식(inductively coupled plasma, ICP)으로 . 플라즈 처리 장치는, 처리 용기와, 처리 용기 내에 설치되고, 기판이 배치되는 배치대와, 배치대에 대향하여 처리 용기에 부착되고, 플라즈마를 생성하기 위한 전자 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극에 서로 다른 . 골칫거리 폐기물, 플라즈마로 태워 없앤다? : 네이버 블로그 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 82. 표면파 플라즈마원에 있어서의 출력부로부터 출력된 마이크로파를 처리 용기 내에 방사하는 복수의 마이크로파 방사 기구를 갖는 플라즈마 처리 장치로서, 기판에 플라즈마 처리를 행하지 않는 동안, 기판에 플라즈마 처리를 행할 . 플라즈마 표면처리 센터에서는 플라즈마 크리닝, 플라즈마 개질, 플라즈마 디스미어 공정에 이르기까지 다양한 분야에 걸쳐 플라즈마 표면 처리 서비스를 실시하고 있습니다. 플라즈마 처리 장치는 접지 전극상의 절연막을 제거 가능하다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 처리실의 가스 도입부로부터 불순물을 제거함으로써 피처리체를 고품질 플라즈마 처리한다. 본 발명에 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버(110)에 플라즈마를 발생시키고, 이와 동시에 제1 챔버(110)의 하부에 제1 챔버(110)와 독립적으로 배치되는 제2 챔버(120)에 플라즈마를 발생시키는 단위 플라즈마 전극(200)을 포함하는 .
플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 82. 표면파 플라즈마원에 있어서의 출력부로부터 출력된 마이크로파를 처리 용기 내에 방사하는 복수의 마이크로파 방사 기구를 갖는 플라즈마 처리 장치로서, 기판에 플라즈마 처리를 행하지 않는 동안, 기판에 플라즈마 처리를 행할 . 플라즈마 표면처리 센터에서는 플라즈마 크리닝, 플라즈마 개질, 플라즈마 디스미어 공정에 이르기까지 다양한 분야에 걸쳐 플라즈마 표면 처리 서비스를 실시하고 있습니다. 플라즈마 처리 장치는 접지 전극상의 절연막을 제거 가능하다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 처리실의 가스 도입부로부터 불순물을 제거함으로써 피처리체를 고품질 플라즈마 처리한다. 본 발명에 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버(110)에 플라즈마를 발생시키고, 이와 동시에 제1 챔버(110)의 하부에 제1 챔버(110)와 독립적으로 배치되는 제2 챔버(120)에 플라즈마를 발생시키는 단위 플라즈마 전극(200)을 포함하는 .
KR20100041103A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
처리 용기와, 상기 처리 용기를 구성하는 상부벽 및/또는 측벽으로부터 돌출되어, 상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급 구멍을 갖는 복수의 가스 노즐을 구비하고, 복수의 상기 가스 노즐은, 복수의 상기 가스 . 2021 · 플라즈마 밀도와 균일도를 향상시켜 태양전지 제조를 위한 대면적 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 하부 전극 및 상부 전극을 구비하고 있다. 본 발명은, 가스 노즐에 있어서 이상 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다. 본 논문에서는 우리는 플라즈마 처리를 통해 소수성 의 특성을 가진 분리막 이 친수성화 되는 것을 확인하였고, 이는 플라즈마 처리를 통해 높은 분리막의 Abstract 2003 · 박테리아를 총 4번의 플라즈마 처리를 하였으며 플라즈마 처리 전과 비교하였을 때 처리 후에 약 50% 이상의 박 테리아가 비활성화되며, 또한, 세포 내부의 … 분말 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 제 1 방향성 결합기에는 제 1 검출기가 접속되어 있다.
플라즈마 처리 장치(10)는 내부에서 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 용기(100)와, 고주파를 출력하는 제 1 고주파 전원(140)과, 처리 용기(100)의 외부에서 외측 코일, 내측 코일 및 그 사이에 설치된 n 개(n은 1 이상의 정수 . 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 수행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마를 이용하여 기판상의 증착 공정 및 그 공정을 수행한 장치의 클리닝 공정을 수행함에 있어서, 플라즈마 하전 입자들의 기판 및 기판 지지 부재와의 충돌량을 상이하게 조절하여 증착 공정 및 클리닝 공정을 수행하는 것을 . 플라즈마 처리 장치가 웨이퍼를 지지하기 위하여 그 내부에 지지대가 배치된 챔버를 포함한다. 이어 이번에 200L 드럼을 포함한 다양한 .원랜디 Ox 조합도우미 -
안테나는, 챔버 내에 마이크로파를 방사하도록 구성되어 있다. 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 다수개의 바(bar)가 사다리(ladder) 형태로 연결되고 상기 바(bar) 각각은 길이 방향으로 가우스 곡선 모양을 가지는 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 . 플라즈마 처리 방법 . 所谓等离子即是部分离子化的气体。. 일실시 형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치에서는, 마이크로파 생성부와 서큘레이터의 제 1 포트를 접속시키는 제 1 도파관에 제 1 방향성 결합기가 마련되어 있다. 플라즈마 처리 장치는 전극들 사이에서 고주파 전계를 발생시키기 위해 반응용기 내에 배치되어 있는 한 쌍의 전극들을 갖고 있는 고주파 전계 발생 메카니즘, 및 상기 고주파 전계 발생 메카니즘에 의해 발생되는 고주파 전계와 공간적으로 중첩하지 않는 자계를 발생하도록 반응 용기 외부에 .
플라즈마 처리 장치는 유전체 벽을 갖는 처리실과, 처리실내에 배치되고 피처리체가 그 위에 탑재된 탑재면을 갖는 탑재대를 포함한다. 본 발명은 플라즈마를 이용하여 피 처리체에 막 부착이나 에칭 처리를 하기 위한 챔버를 구비하고, 이 챔버에 마련된 피 처리체를 반입 본 발명은 안테나의 구조를 변경하여 균일한 플라즈마를 제공하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 외부를 적어도 1회전 이상 환포하며, 전력이 인가되는 인입단과 인가된 전력이 배출되는 접지단을 가지는 적어도 둘 이상의 코일; 및 상기 코일의 인입단에 전력을 . 플라즈마 밀도 내지 플라즈마 처리 특성의 면내 균일성을 향상시킨다. KR20160030812A KR1020140120478A KR20140120478A KR20160030812A KR 20160030812 A KR20160030812 A KR 20160030812A KR 1020140120478 A KR1020140120478 A KR 1020140120478A KR 20140120478 A KR20140120478 A KR … Classifications. 2015 · Plasma清洗原理1. 본 발명은, 생성된 플라즈마를 효율적으로 이용할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
이 챔버(1)는, 대략 원통형을 한 하우징(2)과, 하우징(2)에 상부로부터 접합되어서 처리 공간을 둘러싸는 원통형을 한 챔버 월(3)에 의해 구성되는 분할 . 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 실행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. 스마트폰만 하더라도 핵심 부품인 저장매체, 반도체, 디스플레이 등의 제작을 위해 저압의 플라즈마로 표면처리를 하는 공정이 필수적입니다. 하지만 넘어야 할 산이 많습니다. 진공 분위기로 유지되는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 서로 평행하게 배치된 제 1 및 제 2 전극(2, 18)과, 제 1 및 제 2 전극(2, 18)의 사이에 고주파 전계를 형성하여 . 예시적 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 플라즈마의 생성을 위하여 고주파 전력을 발생시킨다. 이러한 특징에 의하면, 기판의 양면 중 어느 일 면을 선택적으로 처리할 수 있을 뿐만 아니라 . 플라즈마 처리 장치는 웨이퍼를 지지하는 정전 척(electrostatic chuck), 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 배치된 포커스 링(focus ring) 및 상기 포커스 링의 외주면을 둘러싸도록 배치된 절연 링, 및 상기 포커스 링 및 상기 절연 링의 하부를 지지하고, 상기 정전 척과 이격되어 . 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 플라즈마 발생영역과 스테이지 사이에 필터부를 두어 이온이 제거된 반응종만을 기판상에 인가하여 플라즈마를 이용한 에싱 공정을 수행할 수 있고, 에싱 공정에 의한 기판 상부 패턴의 손상을 방지할 수 있다. 플라즈마 처리장치 Download PDF Info Publication number KR100978166B1.본 발명은 반도체 기판 에지 영역에 퇴적되는 박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지대 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 . 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 82. 새 공원 accommodation 본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 챔버의 내부에 스퍼터 건이 구비되는 . 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 처리 용기는, 처리 공간을 구획하고 있다. KR101428525B1 - 수중 종자 플라즈마 처리 방법 - Google Patents 수중 종자 플라즈마 처리 방법 Download PDF Info Publication number KR101428525B1 . 지지부는, 플라즈마 처리의 대상으로 된 피처리체가 배치되는 배치대를 지지하고, 플라즈마 처리에 이용되는 배선이 배치된다. 플라즈마 산화 처리 장치는, 피처리체를 수용하고, 내부에서 플라즈마 처리를 행하는 진공 유지 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리체를 탑재하는 탑재대와, 복수의 슬롯을 갖고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하는 평면 안테나와, 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입 . KR101002513B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 챔버의 내부에 스퍼터 건이 구비되는 . 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 처리 용기는, 처리 공간을 구획하고 있다. KR101428525B1 - 수중 종자 플라즈마 처리 방법 - Google Patents 수중 종자 플라즈마 처리 방법 Download PDF Info Publication number KR101428525B1 . 지지부는, 플라즈마 처리의 대상으로 된 피처리체가 배치되는 배치대를 지지하고, 플라즈마 처리에 이용되는 배선이 배치된다. 플라즈마 산화 처리 장치는, 피처리체를 수용하고, 내부에서 플라즈마 처리를 행하는 진공 유지 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리체를 탑재하는 탑재대와, 복수의 슬롯을 갖고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하는 평면 안테나와, 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입 .
강원도 강릉 애견동반 4성급 세인트존스 호텔 숙박 후기 - 000Xc8Xh 플라즈마원이 가스 공급계에 의해서 공급되는 가스를 여기시킨다.31°이었으나 플라즈마 처리 후의 최소 접촉각 은 산소 분위기의 저압 플라즈마에서 9. 유도 결합형의 플라즈마 처리에서 챔버 내에 형성되는 도너츠 형상 플라즈마 내의 플라즈마 밀도 분포를 효율적으로 임의로 제어하는 것이다. 플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링 본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금 . 본 발명은 무선 주파수 전원에 접속되는 유도 코일의 일측 단자, 개방 단부인 유도 코일의 타측 단자, 및 유도 코일의 실질적인 중심 . 12) 플라즈마 공정 시 공정 압력은 5mTorr로 RF 파워는 200W로 고정하였고, 플라즈마 공정 변수로는 혼합 가스 분압의 비와 플라즈마 처리시간으로 하였으며, 각 플라즈마 처리 … 플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20160030812A.
KR100978166B1 KR1020087018681A KR20087018681A KR100978166B1 KR 100978166 B1 KR100978166 B1 KR 100978166B1 KR 1020087018681 A KR1020087018681 A KR 1020087018681A KR 20087018681 A KR20087018681 A KR 20087018681A KR … 일 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 가스 공급계가 처리 용기 내에 가스를 공급한다.什么是Plasma?Plasma翻译成中文是等离子。. [과제] 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공하는 것. 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈; 및 반응챔버와 안테나 모듈 사이에 배치되는 절연판을 포함하고, 안테나 모듈은, 절연판의 . 이 플라즈마 처리 장치에서, 상기 처리실은 플라즈마 발생 영역의 매체를 매개로 하여 피처리 물체에 대향하게 배치되는 상판을 구비하고; 상기 상판에는 상판을 관통하여 처리실 내부로 들어가도록 배치된 하나 이상의 안테나가 마련된다. 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 제1가스가 분사되는 제1전극; 상기 제1전극과 상호 이격되어 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 이격배치되며, 전원이 .
(해결 수단) 플라즈마 처리 장치(10)는, 웨이퍼 w를 수용하여 에칭 처리를 실시하는 수용실(11)과, 수용실(11) 내의 처리 공간 ps에 고주파 전력을 공급하는 서셉터(12)와, 처리 공간 ps에 직류 전압을 인가하는 상부 전극판(39)과, 배기 유로(18)에 마련되는 접지 링(45)과 . 2010 · 분석하였다. 배플판(28)은 챔버(2)의 상부에 플라즈마를 밀폐시키는 동시에, 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류의 리턴 경로를 구성한다. 지지 구조체는 피처리체를 회전 가능하며 또한 경사 가능하게 지지하도록 구성되어 . 이 장치는 메탈전극, 상기 메탈전극에 연결되는 제 1 부분과 다른 제 2 부분으로 이루어지고 제 1 부분을 통해 상기 메탈전극에 결합된 적어도 하나의 캐필러리를 갖는 캐필러리 유전전극, 상기 메탈전극 및 캐필러리 유전전극의 제 1 부분을 . H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatmen 플라즈마 처리 장치가 개시된다. PLASMA原理 - 百度文库
본 발명은 기판 디척킹(dechucking) 작업시 기판 표면의 플라즈마 전하를 최소화시켜 플라즈마 데미지(plasma damage)를 방지하기 위한 플라즈마 처리 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 챔버 내부의 정전척상에 정전기력으로 안착된 기판에 대하여 가공 공정을 . fPLASMA作用原理說明. . 2023 · PLASMA真空等离子处理仪配备清洗托盘，把样品放在托盘上，样品朝上的一面等离子处理效果明显，样品贴着托盘的一面处理效果不明显，原因是等离子体需要空 … 본 발명은 플라즈마를 발생시켜 피처리 물에 대하여 소정의 처리를 하는 장치에 있어서, 보다 상세하게는 pecvd용 소스를 중심으로 360°의 범위에서 전방위적으로 증착할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 상기 마이크로파 도입 장치는, 복수의 소정 출력의 마이크로파를 출력하는 . 처리실에서 유도 플라즈마가 유전체 벽을 통해 여기된다.Eh stock
2017 · 는 기대가 높아지고 있다. Plasma with RF clean 原理. 본 발명은 소재용 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 에칭 장치(100)의 처리실(102) 내에는 한 쌍의 상부 및 하부 전극(118, 106)이 배치되어 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는 반응 챔버(100), 반응 챔버(100)의 내부에 배치되며 플라즈마 발생을 위한 전원이 인가되는 상부 전극(200), 상부 전극(200)에 연결되어 상부 전극(200)의 형상을 조절하는 복수개의 조절부(400); 및 반응 챔버(100)의 내부에 배치되고 기판(10)이 탑재 . 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝ -3 )∼1e+9(개·㎝ -3 )로 되도록 제어된다.
개구폭이 1mm보다 큰 개구부와, 상기 개구부에 연통하는 환상 공간으로 이루어지는 환상 챔버를 규정하는 유전체 부재와 . 본 발명은 플라즈마 처리 방법 및 장치에 관한 것으로, 기판 처리 공정 종료 후 불활성 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와, 정전 흡착시 가해지는 전압과 반대 극성의 직류 전압을 인가하는 단계와, 기판을 정전척으로부터 분리시키는 단계로 구성된다. Plasma clean 一般常用之气体为O2及Ar，其反應式如 下： A: H*+有机物 CxH (y+2) B: Ar* +有机物 小且轻的有机物 对Wire … 플라즈마 처리장치가 개시된다. 바이어스 전원이, 기판 지지기에 이온을 인입하기 위하여, 펄스상의 음극성의 직류 전압을 주기적으로 하부 전극에 인가한다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버, 공정 챔버 내에 위치하며 기판이 안착되는 척 및 척의 하부에 위치하며, 다수개의 가스홀을 구비한 배플을 포함하여 척의 하면에 건조 가스를 균일하게 공급하는 척 건조 장치를 포함한다. (주)제4기텍은 플라즈마 표면처리 장치와 기술을 활용하여 반도체 패키징, Fine … 본 발명은 챔버의 플라즈마 반응공간 사이에 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 .
기하 위키책 - 기하 목차 트위터 연예인 합성nbi 휘성 with me 블루스택4 내부자들 엑기스nbi